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無(wú)線充電

無(wú)線充電

無(wú)線充電

  • 所屬分類:無(wú)線充電
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-09-06

無(wú)線充電技術(shù)(英文:Wireless charging technology;Wireless charge technology )源于無(wú)線電能傳輸技術(shù),可分為小功率無(wú)線充電和大功率無(wú)線充電兩種方式,充電器與用電裝置之間以磁場(chǎng)傳送能量,兩者之間不用電線連接,因此充電器及用電的裝置都可以做到無(wú)導(dǎo)電接點(diǎn)外露。


無(wú)線充發(fā)射端方案小功率版


無(wú)線充發(fā)射端方案大功率版


DC-DC降壓芯片LN8120

LN8120 is a wide inputrange, high-efficiency and high frequency DC-to DC step-down switching regulator,capable of delivering up to 2A of output current. With a fixed switchingfrequency of 500KHz, this current mode PWM controlled converter allows the useof small external components, such as ceramic input and output caps, as well assmall inductors. LN8120 also employs a proprietary control scheme that switchesthe device into a power save mode during light load, thereby extending therange of high efficiency operation. An OVP function protects the IC itself andits downstream system against input voltage surges. With this OVP function, theIC can stand off input voltage as high as 19V, making it an ideal solution forindustrial applications such as LCD TV, Set Top Box, Portable TV, etc. 


產(chǎn)品特點(diǎn)

 Wide Input Range: 4.2V-18V 

 High Efficiency PFM mode at light load  

 Capable of Delivering 2A  

 No External Compensation Needed  

 Current Mode Control  

 Thermal Shutdown and UVLO  

 Excellent Load and Line Transient Response 


典型應(yīng)用電路


  • 柵極驅(qū)動(dòng)芯片LN8322

產(chǎn)品概述

LN8322是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片,用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。高邊?cè)懸浮電壓的工作電壓可以高達(dá)30V。 

LN8322內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保MOSFET在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài),以提高轉(zhuǎn)換效率。集成使能關(guān)斷功能,可以同時(shí)關(guān)斷HO、LO的輸出。 

 LN8322內(nèi)置死區(qū)自適應(yīng)功能,可以適應(yīng)更多規(guī)格MOSFET,同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的繁瑣。 

LN8322采用ESOP-8、MSOP-8、DFN3*3-8等多種封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的選擇。


應(yīng)用領(lǐng)域

半橋/全橋轉(zhuǎn)換器 

同步降壓、升降壓拓?fù)?nbsp;

電子煙、無(wú)線充MOSFET驅(qū)動(dòng)器  


產(chǎn)品特點(diǎn)

電源電壓工作范圍為4.5V~13.2V   

內(nèi)置自舉二極管  

輸出電流:+2A/-2A  

兼容3.3V和5.5V PWM輸入   

UVLO時(shí)EN端輸出低電平 

內(nèi)建死區(qū)自適應(yīng)功能來(lái)防止FET交叉導(dǎo)通

EN端可同時(shí)關(guān)斷上下兩個(gè)MOSFET  

VCC欠壓鎖死功能 

采用SOP-8/ESOP-8、DFN3*3和MSOP8封裝 

綠色環(huán)保無(wú)鹵,滿足ROHS標(biāo)準(zhǔn)


封裝

ESOP-8  

DFN3*3  

MSOP-8


典型應(yīng)用電路

MOSFET


雙MOS封裝示例



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